深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 main business:物联网应用光通信及传感器核心器件的研发与销售，投资兴办实业（具体项目另行申报），国内贸易（不含专营、专控、专卖商品），经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。^物联网应用光通信及传感器核心器件的生产。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 在营（开业）企业
- 有限责任公司
- 2014年04月29日
- 李莹
- 3000.000000
- 2014年04月29日 至 2024年04月11日
- 市市场和质量监管委南山局
- 2016年02月02日
- 深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻前海商务秘书有限公司）实际经营地址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼
- 物联网应用光通信及传感器核心器件的研发与销售，投资兴办实业（具体项目另行申报），国内贸易（不含专营、专控、专卖商品），经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。^物联网应用光通信及传感器核心器件的生产。
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 深圳市芯思杰联邦国际发展有限公司 | http://www.xinsijie.com.cn |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104576808B | 带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法 | 2016.06.15 | 本发明公开一种带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法，包括：载体、焊接于该载体上的数个焊接球以及 |
| 2 | CN104576810B | 共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法 | 2016.04.20 | 本发明公开一种共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法，该模拟光电探测器芯片包括：外延片以及形成于所述 |
| 3 | CN104576786B | 新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法 | 2016.04.20 | 本发明公开一种新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法，该光电探测器芯片包括：衬底、缓冲层、吸收层 |
| 4 | CN104576806B | 侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法 | 2016.01.06 | 本发明公开一种侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、接 |
| 5 | CN104576810A | 共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开一种共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法，该模拟光电探测器芯片包括：外延片以及形成于所述 |
| 6 | CN104576808A | 带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开一种带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法，包括：载体、焊接于该载体上的数个焊接球以及 |
| 7 | CN104576786A | 新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开一种新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法，该光电探测器芯片包括：衬底、缓冲层、吸收层 |
| 8 | CN104576806A | 侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开一种侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、接 |
| 9 | CN204269975U | 含保护片的光隔离器 | 2015.04.15 | 本实用新型公开一种含保护片的光隔离器，包括：设于信号光入射侧的起偏器、设于起偏器出光侧的法拉第旋转片 |
| 10 | CN303169107S | 微网营销机 | 2015.04.15 | 1．本外观设计产品的名称：微网营销机。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于微信营销。3．本外 |
| 11 | CN204271091U | 新型四象限光功率探测芯片 | 2015.04.15 | 本实用新型公开一种新型四象限光功率探测芯片，包括：衬底、形成于衬底底部的N电极、形成于衬底上的缓冲层 |
| 12 | CN204130564U | 侧入光式PIN光电探测器芯片 | 2015.01.28 | 本实用新型公开一种侧入光式PIN光电探测器芯片，包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、接触层、复 |
| 13 | CN204130566U | 带载体的高速雪崩光电探测器芯片 | 2015.01.28 | 本实用新型公开一种带载体的高速雪崩光电探测器芯片，包括：载体、焊接于该载体上的数个焊接球以及采用倒装 |
| 14 | CN204130565U | 台面结构的10G PIN光电探测器芯片 | 2015.01.28 | 本实用新型公开一种台面结构的10G PIN光电探测器芯片，包括：衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓 |
| 15 | CN204067379U | 新型零伏响应雪崩光电探测器芯片 | 2014.12.31 | 本实用新型公开一种新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层、 |
| 16 | CN204011457U | 共面电极模拟光电探测器芯片 | 2014.12.10 | 本实用新型公开一种共面电极模拟光电探测器芯片，包括：外延片以及形成于所述外延片背面的欧姆接触层；所述 |
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